Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
ДР Конго
Аргентина
Турция
Румыния
Литва
Норвегия
Австрия
Ангола
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Беларусь
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Черногория
Русский
Бельгия
Швеция
Сербия
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Молдова
Германия
Нидерланды
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
Франция
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Португалия
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Испания
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SI4501BDY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4501BDY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Подробное описание:
Mosfet Array 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12918148
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4501BDY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel, Common Drain
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V, 8V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A, 8A
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
805pF @ 15V
Мощность - Макс
4.5W, 3.1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Базовый номер продукта
SI4501
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SI4501BDY-T1-GE3
HTML Спецификация
SI4501BDY-T1-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4501BDY-T1-GE3DKR
SI4501BDY-T1-GE3CT
SI4501BDY-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMC3021LSD-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
94854
Номер части
DMC3021LSD-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.15
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI5944DU-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
SI5908DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
SI7288DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8