Производитель Номер продукта:
SI4946BEY-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4946BEY-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 6.5A 3.7W Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
18510 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918193
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4946BEY-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.5A
Rds On (макс.) @ id, vgs
41mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
840pF @ 30V
Мощность - Макс
3.7W
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Базовый номер продукта
SI4946
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4946BEY-T1-E3TR
SI4946BEY-T1-E3CT
SI4946BEYT1E3
SI4946BEY-T1-E3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7288DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
SI7904DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
SI3585CDV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
