Производитель Номер продукта:
SI4931DY-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI4931DY-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Подробное описание:
Mosfet Array 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
12803 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12914595
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI4931DY-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.7A
Rds On (макс.) @ id, vgs
18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 350µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
52nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
1.1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Базовый номер продукта
SI4931
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
SI4931DYT1GE3
SI4931DY-T1-GE3CT
SI4931DY-T1-GE3TR
SI4931DY-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IXTL2X240N055T
MOSFET 2N-CH 55V 140A I5-PAK
SI1036X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
SI4276DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
