Производитель Номер продукта:
SI5402BDC-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5402BDC-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Инвентаризация:
12919097
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5402BDC-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
35mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
1206-8 ChipFET™
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Базовый номер продукта
SI5402
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI5402BDC-T1-GE3DKR
SI5402BDC-T1-GE3TR
SI5402BDC-T1-GE3CT
SI5402BDCT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4838DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
SIHP35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
SIHG35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC