Производитель Номер продукта:
SI5415AEDU-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5415AEDU-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK
Подробное описание:
P-Channel 20 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
Инвентаризация:
12919006
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5415AEDU-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.6mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4300 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Рабочая температура
-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® ChipFet Single
Упаковка / Чехол
PowerPAK® ChipFET™ Single
Базовый номер продукта
SI5415
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI5415AEDU-T1-GE3DKR
SI5415AEDU-T1-GE3TR
SI5415AEDU-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI5419DU-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
13890
Номер части
SI5419DU-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.16
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI5480DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SIE820DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
SIR412DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
