Производитель Номер продукта:
SI5481DU-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5481DU-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK
Подробное описание:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 17.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Инвентаризация:
12913404
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5481DU-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
50 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1610 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 17.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® ChipFET™ Single
Упаковка / Чехол
PowerPAK® ChipFET™ Single
Базовый номер продукта
SI5481
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI5459DU-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2267
Номер части
SI5459DU-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.18
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLL110
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
SI1011X-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V SC89-3
SI2329DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
