Производитель Номер продукта:
SI5513CDC-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI5513CDC-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 4A, 3.7A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Инвентаризация:
12920618
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI5513CDC-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4A, 3.7A
Rds On (макс.) @ id, vgs
55mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
4.2nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
285pF @ 10V
Мощность - Макс
3.1W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SMD, Flat Lead
Комплект устройства поставщика
1206-8 ChipFET™
Базовый номер продукта
SI5513
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI5513CDCT1GE3
SI5513CDC-T1-GE3CT
SI5513CDC-T1-GE3DKR
SI5513CDC-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIA917DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
SI3993DV-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6TSOP
SQJ244EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
