Производитель Номер продукта:
SI6423DQ-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI6423DQ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Подробное описание:
P-Channel 12 V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Инвентаризация:
8352 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12954342
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI6423DQ-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 400µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
110 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±8V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.05W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-TSSOP
Упаковка / Чехол
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Базовый номер продукта
SI6423
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI6423DQ-T1-GE3CT
SI6423DQ-T1-GE3TR
SI6423DQT1GE3
SI6423DQ-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIA467EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
IRFC230NB
MOSFET 200V 9.3A DIE
SI4401DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
