Производитель Номер продукта:
SI6562DQ-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI6562DQ-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 1W Surface Mount 8-TSSOP
Инвентаризация:
12961413
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI6562DQ-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
-
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
1W
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Комплект устройства поставщика
8-TSSOP
Базовый номер продукта
SI6562
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI6562DQ-T1-E3DKR
SI6562DQ-T1-E3TR
SI6562DQ-T1-E3CT
SI6562DQT1E3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4202DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SOIC
MSCSM120HRM052NG
SIC 4N-CH 1200V/700V 472A
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89