SI7108DN-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SI7108DN-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI7108DN-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
Подробное описание:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Инвентаризация:

8959 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12914803
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI7108DN-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±16V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7108

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7108DN-T1-GE3TR
SI7108DNT1GE3
SI7108DN-T1-GE3DKR
SI7108DN-T1-GE3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SI1039X-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6

vishay-siliconix

IRFR9310TRRPBF

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

vishay-siliconix

SI2316BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3

vishay-siliconix

SIA417DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6