Производитель Номер продукта:
SI7129DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7129DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Подробное описание:
P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
12219 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920447
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7129DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3345 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Рабочая температура
-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7129
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7129DN-T1-GE3DKR
SI7129DN-T1-GE3CT
SI7129DN-T1-GE3-DG
SI7129DN-T1-GE3TR
SI7129DNT1GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHA6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220
SIE810DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
SUM90N08-7M6P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A TO263
