Производитель Номер продукта:
SI7317DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7317DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Подробное описание:
P-Channel 150 V 2.8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
10437 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12954275
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7317DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
365 pF @ 75 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7317
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7317DN-T1-GE3TR
SI7317DN-T1-GE3DKR
SI7317DN-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PMPB08R4VPX
MOSFET P-CH 12V 12A DFN2020M-6
SIR476DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
FCH35N60
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
