Производитель Номер продукта:
SI7370ADP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7370ADP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12912414
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7370ADP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2850 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SI7370
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RJK0658DPA-00#J5A
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Renesas Electronics Corporation
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6000
Номер части
RJK0658DPA-00#J5A-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.87
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7476DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8
SI2315BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
IRFI9520GPBF
MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220-3