Производитель Номер продукта:
SI7407DN-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7407DN-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 12V 9.9A PPAK 1212-8
Подробное описание:
P-Channel 12 V 9.9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
12916962
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7407DN-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 15.6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 400µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
59 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7407
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SI7613DN-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
52730
Номер части
SI7613DN-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.36
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJA70EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8
SIR692DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
SISS66DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAK
