Производитель Номер продукта:
SI7464DP-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7464DP-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 200 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
2790 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12919710
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7464DP-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SI7464
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7464DPT1E3
SI7464DP-T1-E3TR
SI7464DP-T1-E3CT
2266-SI7464DP-T1-E3
SI7464DP-T1-E3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSC22DN20NS3GATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5719
Номер части
BSC22DN20NS3GATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.42
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PMN48XP,115
MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
SI7336ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
SI4686DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
