Производитель Номер продукта:
SQ2308CES-T1_GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SQ2308CES-T1_GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23
Подробное описание:
N-Channel 60 V 2.3A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Инвентаризация:
19825 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12919727
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SQ2308CES-T1_GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
150mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
205 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
SQ2308
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SQ2308CES-T1-GE3-DG
SQ2308CES-T1-GE3
SQ2308CES-T1_GE3TR
SQ2308CES-T1_GE3DKR
SQ2308CES-T1_GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4101DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
SIRA64DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
PMZ600UNELYL
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
