Производитель Номер продукта:
SI7615CDN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7615CDN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Подробное описание:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Инвентаризация:
3 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12914159
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7615CDN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen III
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3860 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
33W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8
Базовый номер продукта
SI7615
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7615CDN-T1-GE3TR
SI7615CDN-T1-GE3CT
SI7615CDN-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TPN4R712MD,L1Q
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7052
Номер части
TPN4R712MD,L1Q-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.25
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFU9210PBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
IRLZ24LPBF
MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
SI3495DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
