Производитель Номер продукта:
SI7852ADP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7852ADP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 80 V 30A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
8624 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12915441
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7852ADP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
8V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1825 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SI7852
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7852ADP-T1-GE3TR
SI7852ADP-T1-GE3DKR
SI7852ADPT1GE3
SI7852ADP-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFS11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
SI7848BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
SI8402DB-T1-E1
MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
