Производитель Номер продукта:
SI7866ADP-T1-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7866ADP-T1-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 20 V 40A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
12916145
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7866ADP-T1-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5415 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SI7866
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7866ADP-T1-E3DKR
SI7866ADPT1E3
SI7866ADP-T1-E3CT
SI7866ADP-T1-E3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIR800DP-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6377
Номер части
SIR800DP-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.62
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7668ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SI4835DDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
SI7806ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8