Производитель Номер продукта:
SI7922DN-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI7922DN-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Подробное описание:
Mosfet Array 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Инвентаризация:
42035 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920167
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI7922DN-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A
Rds On (макс.) @ id, vgs
195mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
1.3W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® 1212-8 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 1212-8 Dual
Базовый номер продукта
SI7922
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI7922DN-T1-GE3TR
SI7922DNT1GE3
SI7922DN-T1-GE3CT
SI7922DN-T1-GE3DKR
Q7011816
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI6913DQ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
SI6963BDQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
SIZ320DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 30A/40A 8PWR33
