Производитель Номер продукта:
SI8410DB-T2-E1
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI8410DB-T2-E1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
Подробное описание:
N-Channel 20 V 3.8A (Ta) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Micro Foot (1x1)
Инвентаризация:
2000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12959700
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI8410DB-T2-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
37mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
850mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
620 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-Micro Foot (1x1)
Упаковка / Чехол
4-UFBGA
Базовый номер продукта
SI8410
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI8410DB-T2-E1DKR
SI8410DB-T2-E1TR
SI8410DB-T2-E1CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI2337DS-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
SI4062DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
SI7409ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7A PPAK 1212-8
