Производитель Номер продукта:
SI8481DB-T1-E1
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SI8481DB-T1-E1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4MICRO FOOT
Подробное описание:
P-Channel 20 V 9.7A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Инвентаризация:
12916298
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SI8481DB-T1-E1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen III
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
21mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2500 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Упаковка / Чехол
4-UFBGA
Базовый номер продукта
SI8481
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI8481DB-T1-E1CT
SI8481DB-T1-E1TR
SI8481DB-T1-E1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SUD19P06-60-E3
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
2N7002KW-TP
MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
BFL4001-1E
MOSFET N-CH 900V 4.1A TO220-3 FP
