SI8800EDB-T2-E1
Производитель Номер продукта:

SI8800EDB-T2-E1

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SI8800EDB-T2-E1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Подробное описание:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot

Инвентаризация:

5 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12914676
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SI8800EDB-T2-E1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
80mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8.3 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-Microfoot
Упаковка / Чехол
4-XFBGA, CSPBGA
Базовый номер продукта
SI8800

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SI8800EDB-T2-E1CT
SI8800EDB-T2-E1DKR
SI8800EDB-T2-E1TR
SI8800EDBT2E1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRFD9020PBF

MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP

vishay-siliconix

IRFR9014

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

vishay-siliconix

IRFP450PBF

MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3

littelfuse

IXFH150N17T2

MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD