SIA411DJ-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIA411DJ-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIA411DJ-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Подробное описание:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Инвентаризация:

12921129
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIA411DJ-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1200 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6
Базовый номер продукта
SIA411

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIA411DJ-T1-GE3TR
SIA411DJT1GE3
SIA411DJ-T1-GE3DKR
SIA411DJ-T1-GE3CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
PMPB29XPE,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
14231
Номер части
PMPB29XPE,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.11
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SIA429DJT-T1-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
27360
Номер части
SIA429DJT-T1-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.16
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIHG14N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC

diodes

ZVN3320ASTOA

MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3

diodes

DMS2220LFDB-7

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN

vishay-siliconix

SIHJ7N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8