Производитель Номер продукта:
SIA456DJ-T3-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIA456DJ-T3-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 1.1A/2.6A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 200 V 1.1A (Ta), 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Инвентаризация:
13277375
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIA456DJ-T3-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.1A (Ta), 2.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
350 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6
Базовый номер продукта
SIA456
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
742-SIA456DJ-T3-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQD100N02_3M5L4GE3
MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
SIDR220DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 87.7A/100A PPAK
SIB422EDK-T4-GE3
MOSFET N-CH 20V 7.1A/9A PPAK