Производитель Номер продукта:
SIA513DJ-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIA513DJ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Инвентаризация:
12921779
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIA513DJ-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
12nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
360pF @ 10V
Мощность - Макс
6.5W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Базовый номер продукта
SIA513
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIA513DJ-T1-GE3TR
SIA513DJ-T1-GE3DKR
SIA513DJT1GE3
SIA513DJ-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN2041UVT-7
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A TSOT26
DMN2991UDA-7B
MOSFET 2N-CH 20V 0.45A 6DFN
SIS990DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
