SIA911ADJ-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIA911ADJ-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIA911ADJ-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Инвентаризация:

12916274
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIA911ADJ-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 P-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A
Rds On (макс.) @ id, vgs
116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13nC @ 8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
345pF @ 10V
Мощность - Макс
6.5W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Базовый номер продукта
SIA911

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SQJ204EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8

vishay-siliconix

SIA918EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SQ1922EEH-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6

vishay-siliconix

SI9934BDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC