Производитель Номер продукта:
SIA918EDJ-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIA918EDJ-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
Подробное описание:
Mosfet Array 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Инвентаризация:
12916351
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIA918EDJ-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
58mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Мощность - Макс
7.8W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Базовый номер продукта
SIA918
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIA918EDJ-T1-GE3DKR
SIA918EDJ-T1-GE3CT
SIA918EDJ-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQ1922EEH-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
SI9934BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
SI4501ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC