Производитель Номер продукта:
SIB422EDK-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIB422EDK-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Подробное описание:
N-Channel 20 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Инвентаризация:
2310 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12918025
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIB422EDK-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 13W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SC-75-6
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SC-75-6
Базовый номер продукта
SIB422
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIB422EDK-T1-GE3DKR
SIB422EDKT1GE3
SIB422EDK-T1-GE3TR
SIB422EDK-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDMA420NZ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4870
Номер части
FDMA420NZ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.24
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7116DN-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
SI5480DU-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SI7344DP-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 11A PPAK SO-8
