SIHA15N80AE-GE3
Производитель Номер продукта:

SIHA15N80AE-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIHA15N80AE-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Подробное описание:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Инвентаризация:

975 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12978206
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIHA15N80AE-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
350mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1093 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
33W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
SIHA15

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000
Другие названия
742-SIHA15N80AE-GE3

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FQAF16N50

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

goford-semiconductor

G50N03K

MOSFET N-CH 30V 65A TO-252

goford-semiconductor

GC11N65F

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

goford-semiconductor

GC11N65F

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220F