Производитель Номер продукта:
SIHB120N60E-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHB120N60E-T1-GE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 600V
Подробное описание:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
760 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12999678
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHB120N60E-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1562 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
179W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
742-SIHB120N60E-T1-GE3CT
742-SIHB120N60E-T1-GE3TR
742-SIHB120N60E-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIHB120N60E-T5-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
795
Номер части
SIHB120N60E-T5-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.23
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TQM056NH04CR RLG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
GC20N65T
N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4
PXP3R7-12QUJ
PXP3R7-12QU/SOT8002/MLPAK33
