Производитель Номер продукта:
SIHB12N65E-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHB12N65E-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
408 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787062
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHB12N65E-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1224 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
SIHB12
Технический паспорт и документы
Чертежи изделий
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SIHB12N65E-GE3TR
SIHB12N65E-GE3TRINACTIVE
SIHB12N65E-GE3DKR-DG
SIHB12N65E-GE3DKR
SIHB12N65E-GE3DKRINACTIVE
SIHB12N65E-GE3CT-DG
SIHB12N65E-GE3TR-DG
SIHB12N65E-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHG47N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
SIHG80N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
SUD50P04-09L-E3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
