SIHD180N60E-GE3
Производитель Номер продукта:

SIHD180N60E-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIHD180N60E-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Подробное описание:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount DPAK

Инвентаризация:

2954 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12787176
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIHD180N60E-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
195mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1080 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
156W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SIHD180

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SUD50P04-08-GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

vishay-siliconix

SIHD6N62ET1-GE3

MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

vishay-siliconix

SQM120P10_10M1LGE3

MOSFET P-CH 100V 120A TO263

vishay-siliconix

SUP90N06-5M0P-E3

MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB