Производитель Номер продукта:
SIHD6N62ET1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHD6N62ET1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Подробное описание:
N-Channel 620 V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
12787179
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHD6N62ET1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
620 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
578 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
78W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
SIHD6
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,000
Другие названия
SIHD6N62ET1-GE3DKR
SIHD6N62ET1-GE3CT
SIHD6N62ET1-GE3-DG
SIHD6N62ET1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STB6NK60ZT4
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
33
Номер части
STB6NK60ZT4-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.02
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQM120P10_10M1LGE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
SUP90N06-5M0P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
SUM27N20-78-E3
MOSFET N-CH 200V 27A TO263
