SIRA64DP-T1-GE3
Производитель Номер продукта:

SIRA64DP-T1-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIRA64DP-T1-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Подробное описание:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 27.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Инвентаризация:

12787189
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIRA64DP-T1-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3420 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
27.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIRA64

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIRA64DP-T1-GE3-DG
SIRA64DP-T1-GE3CT
SIRA64DP-T1-GE3TR
SIRA64DP-T1-GE3DKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
RS1E350BNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
810
Номер части
RS1E350BNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.65
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS1E321GNTB1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4800
Номер части
RS1E321GNTB1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.91
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS1E280BNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
35014
Номер части
RS1E280BNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
RS3E095BNGZETB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2500
Номер части
RS3E095BNGZETB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.29
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
SIRA64DP-T1-RE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
12218
Номер части
SIRA64DP-T1-RE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.31
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SIR668ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQJ486EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SUD50P04-23-GE3

MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252

vishay-siliconix

SIHD4N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK