Производитель Номер продукта:
SIHF12N50C-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHF12N50C-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Подробное описание:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Инвентаризация:
863 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12920224
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHF12N50C-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
555mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1375 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
36W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220 Full Pack
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
SIHF12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SIHF12N50C-E3DKR-DG
SIHF12N50C-E3CT
SIHF12N50C-E3CT-DG
SIHF12N50C-E3DKRINACTIVE
SIHF12N50C-E3TR
SIHF12N50C-E3TR-DG
SIHF12N50C-E3TRINACTIVE
SIHF12N50C-E3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIJA54DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SI2319DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
SI7658ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8