Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIHF18N50C-E3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHF18N50C-E3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 500 V 18A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12920606
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHF18N50C-E3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
270mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2942 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
38W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SIHF18
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SIHF18N50C-E3
HTML Спецификация
SIHF18N50C-E3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STF19NM50N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
982
Номер части
STF19NM50N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.99
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FDPF18N50T
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1
Номер части
FDPF18N50T-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.50
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FDPF18N50
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
6866
Номер части
FDPF18N50-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.25
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
TK19A45D(STA4,Q,M)
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
47
Номер части
TK19A45D(STA4,Q,M)-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.52
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STF23NM50N
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STF23NM50N-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.42
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
SUD70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO252
SI2327DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
SI8465DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT