Производитель Номер продукта:
SIHFU9220-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHFU9220-GE3-DG
Описание:
MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA
Подробное описание:
P-Channel 200 V 3.6A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Инвентаризация:
2978 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13277355
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHFU9220-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3400 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251AA
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
SIHFU9220
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIHFU9220-GE3
742-SIHFU9220-GE3TR
742-SIHFU9220-GE3TR-ND
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJ460AEP-T2_GE3
MOSFET N-CH 60V 58A PPAK SO-8
SQD40N10-25-T4_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA
SIHFR9310-GE3
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK