Производитель Номер продукта:
SIHG17N80AE-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG17N80AE-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
2000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945156
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG17N80AE-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
290mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1260 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
179W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG17
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
742-SIHG17N80AE-GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SISS76LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 70V 19.6A/67.4A PPAK
SIHB11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
SIR826LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
