Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIR826LDP-T1-RE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIR826LDP-T1-RE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 80 V 21.3A (Ta), 86A (Tc) 5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
1818 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12945159
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIR826LDP-T1-RE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21.3A (Ta), 86A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3840 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIR826
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SIR826LDP-T1-RE3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
742-SIR826LDP-T1-RE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
RS3L045GNGZETB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1173
Номер части
RS3L045GNGZETB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.25
Тип замещения
Similar
Номер детали
NTMFS08N003C
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2948
Номер части
NTMFS08N003C-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.10
Тип замещения
Similar
Номер детали
RS6N120BHTB1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1763
Номер части
RS6N120BHTB1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.14
Тип замещения
Similar
Номер детали
RS1L145GNTB
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1003
Номер части
RS1L145GNTB-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.81
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQ2318BES-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
SIDR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
SIR882BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
FDC637ANNB5E023A
MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6