Производитель Номер продукта:
SIHG24N80AE-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG24N80AE-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 21A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
12982725
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG24N80AE-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
184mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1836 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
208W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG24
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
742-SIHG24N80AE-GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AUIRF7732S2TR
MOSFET N-CH 40V 14A DIRECTFET SC
IPDD60R075CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 40A HDSOP-10
UF3C120080B7S
SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
