Производитель Номер продукта:
SIHG25N40D-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG25N40D-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 400 V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
87 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12919899
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG25N40D-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
400 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
170mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
88 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1707 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
278W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG25
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFH36N50P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
126
Номер части
IXFH36N50P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
5.53
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
APT30F50B
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
86
Номер части
APT30F50B-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.10
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHH14N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 16A PPAK 8 X 8
SI7810DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
SI5499DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 CHIPFET
