Производитель Номер продукта:
SIHG73N60AEL-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHG73N60AEL-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC
Подробное описание:
N-Channel 600 V 69A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
Инвентаризация:
40 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12965896
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHG73N60AEL-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
EL
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
42mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
342 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6709 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
520W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247AC
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SIHG73
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
25
Другие названия
SIHG73N60AEL-GE3DKR
SIHG73N60AEL-GE3DKRINACTIVE
SIHG73N60AEL-GE3CT
SIHG73N60AEL-GE3TR
SIHG73N60AEL-GE3DKR-DG
SIHG73N60AEL-GE3TRINACTIVE
SIHG73N60AEL-GE3CT-DG
SIHG73N60AEL-GE3TR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR172ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
SIR158DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIR870ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
