Производитель Номер продукта:
SIHH180N60E-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHH180N60E-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
Подробное описание:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Инвентаризация:
12920747
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHH180N60E-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1085 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
114W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 8 x 8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
SIHH180
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIHH180N60E-T1-GE3TR
SIHH180N60E-T1-GE3CT
SIHH180N60E-T1-GE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
2SJ652-1E
MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
SISS42DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
SUP60030E-GE3
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
