Производитель Номер продукта:
SIHH26N60EF-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHH26N60EF-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8
Подробное описание:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 202W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Инвентаризация:
12916623
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHH26N60EF-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
141mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2744 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
202W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® 8 x 8
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
SIHH26
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIHH26N60EF-T1-GE3DKR
SIHH26N60EF-T1-GE3CT
SIHH26N60EF-T1-GE3TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIHP22N60EL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
SI7405BDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
SIS452DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
