Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SIHP22N60AE-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHP22N60AE-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12920795
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHP22N60AE-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1451 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
179W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SIHP22
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SIHP22N60AE-GE3
HTML Спецификация
SIHP22N60AE-GE3-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIHP22N60AE-BE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1946
Номер части
SIHP22N60AE-BE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.59
Тип замещения
Direct
Номер детали
TK16E60W,S1VX
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
39
Номер части
TK16E60W,S1VX-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.10
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP28NM60ND
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
133
Номер части
STP28NM60ND-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.12
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPP60R190E6XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1985
Номер части
IPP60R190E6XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.41
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCP190N65S3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
FCP190N65S3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.44
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQ2360EES-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
SIHU5N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251AA
NTP6448ANG
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
SIHG22N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC