SIHP22N60AE-GE3
Производитель Номер продукта:

SIHP22N60AE-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIHP22N60AE-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

12920795
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIHP22N60AE-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1451 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
179W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SIHP22

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
1,000

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
SIHP22N60AE-BE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1946
Номер части
SIHP22N60AE-BE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.59
Тип замещения
Direct
Номер детали
TK16E60W,S1VX
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
39
Номер части
TK16E60W,S1VX-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.10
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
STP28NM60ND
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
133
Номер части
STP28NM60ND-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
3.12
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPP60R190E6XKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1985
Номер части
IPP60R190E6XKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.41
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FCP190N65S3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
FCP190N65S3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.44
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

SQ2360EES-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

vishay-siliconix

SIHU5N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251AA

onsemi

NTP6448ANG

MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

vishay-siliconix

SIHG22N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC