Производитель Номер продукта:
SIHP25N50E-BE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHP25N50E-BE3-DG
Описание:
N-CHANNEL 500V
Подробное описание:
N-Channel 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
2989 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977906
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHP25N50E-BE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1980 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
742-SIHP25N50E-BE3TR-DG
742-SIHP25N50E-BE3DKR-DG
742-SIHP25N50E-BE3CT-DG
742-SIHP25N50E-BE3TR
742-SIHP25N50E-BE3DKRINACTIVE
742-SIHP25N50E-BE3
742-SIHP25N50E-BE3CTINACTIVE
742-SIHP25N50E-BE3CT
742-SIHP25N50E-BE3DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G3R450MT17D
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
SQJ142ELP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 175A PPAK SO-8
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
