SIHP6N80AE-GE3
Производитель Номер продукта:

SIHP6N80AE-GE3

Product Overview

Производитель:

Vishay Siliconix

Номер детали:

SIHP6N80AE-GE3-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 800 V 5A (Tc) 62.5W (Tc) Through Hole TO-220AB

Инвентаризация:

961 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12987336
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SIHP6N80AE-GE3 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Rds On (макс.) @ id, vgs
950mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
422 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
62.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
SIHP6

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
742-SIHP6N80AE-GE3

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

GT035N06T

MOSFET N-CH 60V 170A TO-220

diodes

DMN3069L-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

renesas-electronics-america

NP88N04NUG-S18-AY

NP88N04NUG-S18-AY - MOS FIELD EF

vishay-siliconix

SIJH5700E-T1-GE3

N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE