Производитель Номер продукта:
SIHU4N80AE-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIHU4N80AE-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Инвентаризация:
2995 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786674
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIHU4N80AE-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tube
Серия
E
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.27Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
622 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
IPAK (TO-251)
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Базовый номер продукта
SIHU4
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2266-SIHU4N80AE-GE3
SIHU4N80AE-GE3-DG
742-SIHU4N80AE-GE3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SIR812DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SIS184DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK
SQD40031EL_GE3
MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
