Производитель Номер продукта:
SIJ438ADP-T1-GE3
Product Overview
Производитель:
Vishay Siliconix
Номер детали:
SIJ438ADP-T1-GE3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Подробное описание:
N-Channel 40 V 45.3A (Ta), 169A(Tc) 5W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Инвентаризация:
6777 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12786225
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SIJ438ADP-T1-GE3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Vishay
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET® Gen IV
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
45.3A (Ta), 169A(Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
162 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
7800 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 69.4W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerPAK® SO-8
Упаковка / Чехол
PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта
SIJ438
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SIJ438ADP-T1-GE3DKR
SIJ438ADP-T1-GE3TR
SIJ438ADP-T1-GE3CT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SQJA92EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8
SIHF9630STRL-GE3
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
SQ4840EY-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO
